全国人大代表赵冬苓：DeepSeek不能替代编剧

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1、代表代编仿真条件--BMF240R12E2G3不并联用于125kW三相四桥臂PCS仿真65℃/70℃/80℃散热器温度下，代表代编PCS整流和逆变三相四桥拓扑中E2B模块1倍负载(125kW)、1.1倍负载(137.5kW)、1.2倍负载(150kW)碳化硅MOSFET的损耗和结温。6、赵冬碳化硅MOSFET和集成电路在125kW工商业PCS运用中的选型（三相四桥臂）三、赵冬主电路选用的碳化硅MOSFET器材1、Pcore2E2B系列碳化硅MOSFET工业模块产品亮点低导通电阻，高温RDS(on)体现优异内部集成碳化硅SBD,管压下降且根本没有反向康复行为低开关损耗，开关损耗随温度上升反而下降高阈值电压，下降误导通危险高功能Si3N4AMB和高温焊料引进，进步产品牢靠性支撑Press-Fit压接和Soldering焊接工艺集成NTC温度传感器运用范畴大功率快速充电桩150AAPF125kWPCS高端工业电焊机高频DCDC变换器电机驱动操控1）碳化硅MOSFET芯片选用内嵌碳化硅SBD的技能在碳化硅MOSFET的元胞中嵌入碳化硅SBD元胞，能够显着进步碳化硅MOSFET的功能。

5、全国结温文损耗仿真数据--120%负载（逆变工况）不同工况下的结温、全国损耗比照：仿真65℃/70℃/80℃散热器温度下，PCS拓扑中PcoreTM2E2B模块1.2倍负载(150kW)碳化硅MOSFET的损耗和结温。当副边需求功率大于6W时，代表代编能够运用推挽逆变拓扑，经过DC1和DC2端操控外接的MOSFET来添加输出功率。根本半导体把握碳化硅中心技能，赵冬研制掩盖碳化硅功率半导体的芯片规划、赵冬晶圆制作、封装测验、驱动运用等产业链关键环节，具有知识产权两百余项，中心产品包含碳化硅二极管和MOSFET芯片、轿车级及工业级碳化硅功率模块、功率器材驱动芯片等，功能到达国际先进水平，服务于电动轿车、风景储能、轨道交通、工业操控、智能电网等范畴的全球数百家客户。

1、全国碳化硅MOSFET驱动板参阅规划即插即用驱动板型号为BSRD-2423-ES01两组输入电压，全国分别是24V和5V2通道输出，单通道输出功率2W驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A，无须外置推进级可支撑驱动1200V的功率器材(碳化硅MOSFET)2、阻隔驱动专用正激DC-DC芯片BTP1521x输出功率可达6W适用于给阻隔驱动芯片副边电源供电正激电路（H桥逆变或推挽逆变）软启动时刻1.5ms作业频率可编程，最高作业频率可达1.3MHzVCC供电电压可达24VVCC欠压维护点4.7V作业环境-40~125℃芯片过温维护点150℃,过温康复点120℃超小体积封装BTP1521x运用引荐电路图DC1和DC2接变压器原边线圈，副边二极管桥式整流，组成开环的全桥拓扑（H桥逆变），输出功率可达6W,输出经过电阻和稳压管分压后构成正负压，供碳化硅MOSFET运用，十分适用于给阻隔驱动芯片副边电源供电。公司具有一支国际化的研制团队，代表代编中心团队由来自清华大学、代表代编我国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外闻名高校及研究机构的博士组成。

一、赵冬125kW工商业储能PCS干流解决计划工商业储能体系PCS的拓扑结构规划至关重要，咱们罗列几个较为典型的计划。

2、全国仿真拓扑--三相四桥臂PCS温度和损耗监控U相，V相，W相中其间一桥臂的碳化硅MOSFET，此次仿真监控蓝色框内的碳化硅MOSFET。为完成对老板们的理论鼓励，代表代编她会抛出杀手锏：5万、10万你融到什么时分去，我能够帮你融到一个亿。

老板们只能惊鸿一瞥，赵冬很难有当场核实的时机，一番宏愿却被似有若无地挑逗起来。可总有一块模糊不清：全国这些违法嫌疑人，全国他们到底是谁？陆凡触摸过的徐玲玲团伙里，有两三个年轻人形似底层身世，学历有限，像是经过培训的东西人。

后来，代表代编洪凯相同在《东方110》上披露了他的面试秘笈：我一会儿能够讲十几个产品，从一级讲到二级，怎样从A轮到B轮，到pre-IPO上市，我都能讲清楚。凭仗能为公司带来巨额赢利的底气，赵冬在那个影视业被疫情重击、资金流潺如游丝的早春三月，徐玲玲顺畅进入了陆凡的公司。

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